En el mundo de la electrónica, el transistor FET SMD z04g4e es un componente clave con características y especificaciones que lo hacen ideal para una variedad de aplicaciones. Este transistor de efecto de campo se destaca por su encapsulado SMD, su voltaje de alimentación de 20V, su corriente máxima de 1A, su potencia máxima disipada de 0.5W, su baja resistencia RDS(on) de 0.4 ohm, su ganancia de corriente de 100 y su amplio rango de temperatura de operación de -55°C a 150°C. Gracias a estas cualidades, el z04g4e es perfecto para amplificación de señales, conmutación de circuitos, fuentes de alimentación conmutadas y más. ¡Descubre todo sobre este versátil transistor FET SMD!

Características y Especificaciones del Transistor FET SMD z04g4e

Tipo de transistor: FET (Transistor de Efecto de Campo)

El z04g4e es un transistor FET, lo que significa que es un dispositivo de estado sólido que utiliza un campo eléctrico para controlar la conductividad en la región de canal.

Encapsulado: SMD (Surface Mount Device)

Este transistor está diseñado en un encapsulado SMD, lo que facilita su montaje en superficies de circuito impreso, optimizando el espacio y permitiendo una mayor densidad de componentes.

Voltaje de alimentación: 20V

El z04g4e tiene un voltaje de alimentación de hasta 20V, lo que lo hace adecuado para aplicaciones que requieren operar con este nivel de voltaje.

Corriente máxima: 1A

Con una corriente máxima de 1A, este transistor puede manejar corrientes significativas, lo que lo hace útil en aplicaciones que requieren controlar corrientes de hasta este valor.

Potencia máxima disipada: 0.5W

La potencia máxima que puede disipar el z04g4e es de 0.5W, lo que indica su capacidad para operar de manera eficiente sin sobrecalentarse en aplicaciones dentro de este rango de potencia.

Resistencia RDS(on): 0.4 ohm

Con una resistencia RDS(on) de 0.4 ohm, este transistor presenta una baja resistencia en estado activo, lo que contribuye a una menor pérdida de potencia y una mayor eficiencia en su funcionamiento.

Ganancia de corriente: 100

La ganancia de corriente del z04g4e es de 100, lo que significa que puede amplificar la corriente de entrada por este factor en la corriente de salida, siendo útil en aplicaciones que requieren amplificación de señales.

Temperatura de operación: -55°C a 150°C

Con un rango de temperatura de operación que va desde -55°C hasta 150°C, este transistor es capaz de funcionar en entornos con temperaturas variables, lo que amplía su versatilidad de aplicación.

Aplicaciones típicas: Amplificación de señales, conmutación de circuitos, fuentes de alimentación conmutadas, entre otros.

Gracias a sus características, el z04g4e es ideal para una variedad de aplicaciones electrónicas, incluyendo la amplificación de señales, la conmutación de circuitos y el uso en fuentes de alimentación conmutadas, entre otras aplicaciones comunes en electrónica.

Tipos de transistores FET SMD

En el caso de los transistores FET SMD, existen diferentes tipos que se utilizan en una variedad de aplicaciones electrónicas. Algunos de los tipos más comunes incluyen los transistores de efecto de campo de unión (JFET), los transistores de efecto de campo de óxido metálico semiconductor (MOSFET) y los transistores de efecto de campo de compuerta aislada (IGBT). Cada uno de estos tipos tiene características únicas que los hacen adecuados para diferentes aplicaciones, desde amplificación de señales hasta conmutación de alta potencia.

Los transistores FET SMD son componentes clave en el diseño de circuitos electrónicos modernos debido a su alta eficiencia y capacidad para conmutar rápidamente. Los MOSFET, por ejemplo, son ampliamente utilizados en aplicaciones de potencia debido a su baja resistencia de conducción y capacidad para manejar altas corrientes. Por otro lado, los JFET son ideales para aplicaciones de bajo ruido en amplificación de señales débiles. En el caso de los IGBT, se utilizan en aplicaciones de alta potencia que requieren conmutación rápida y eficiente.